3月14日，英飞凌在深圳召开“2025消费、计算与通讯创新大会”。会上，英飞凌首次在国内展示了两款前沿技术成果：300mm氮化镓功率半导体晶圆与20μm超薄硅功率晶圆。此外，四款重磅新品亮相，涵盖PSOC Control C3 MCU、新一代CoolGaN半导体器件、CoolMOS 8高压超结MOSFET以及XDP数字电源。值得关注的是，英飞凌新一代高密度功率模块OptiMOS TDM2454xx四相功率模块也在国内首次展出。这些技术的发布，展现了英飞凌在功率半导体领域的领先实力及其对行业发展的积极推动作用。