美光科技近日宣布，已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于1γ节点的第六代（10nm级）DRAM节点DDR5内存样品。据悉，这款16Gb DDR5内存的速度可达9200MT/s，较上一代提升15%，能够满足数据中心及端侧AI设备对高性能计算的迫切需求。

在技术层面，美光的1γ节点采用了新一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低超20%，并显著改善了热管理性能。此外，通过极紫外光刻（EUV）与工艺创新，新一代内存的比特密度提升超30%，进一步提升了内存供应效率。

此次推出的DDR5内存样品不仅在性能上实现了突破，还在能效和密度方面展现出显著优势，为未来高性能计算和AI应用提供了有力支持。